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（e）1L-MoS2在不同应变下的区域（A，展中国展展商专访B，C）的拉曼光谱。情感庆典（d）1L-MoS2在Al2O3/ZnO（顶部）和ZnO（底部）上的功率相关（0.005-5mW）PL光谱。

（d）单个ZnO纳米棒上的1L-MoS2的示意图，国电插图为在ZnONRA上1L-MoS2的光学图像。展中国展展商专访图二：1L-MoS2/ZnO异质结构阵列的共聚焦拉曼表征（a）1L-MoS2在ZnONRAs上的E12g峰位移的拉曼映射（λex=532nm）。情感庆典（f）1L-MoS2在单根ZnO纳米棒上的应变分布示意图。

国电（b）在325nm激发下原始ZnO和具有1L-MoS2ZnO的PL光谱。因而，展中国展展商专访在传统半导体材料制造中得到了广泛的应用。

【成果简介】近日，情感庆典北京科技大学张跃教授团队报告了一种新的策略—通过一维半导体诱导纳米压印构建具有周期性应变的的混合维范德华异质结阵列。

（i）从应变1L-MoS2到ZnO的电荷转移效率提高的示意图，国电这是由于应变调制下界面势垒高度的降低所致。这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，展中国展展商专访从而获得了高质量的石墨烯薄膜，展中国展展商专访并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。

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